[实用新型]超音波低温水域下蜡装置有效
申请号: | 202222326624.5 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN218101193U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 朱宁 | 申请(专利权)人: | 远山新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 葛玉彬 |
地址: | 272100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本申请公开超音波低温水域下蜡装置,属于晶片处理设备技术领域,包括底座、承载槽、加热元件、晃动机构、承载盘和超音波换能器;承载槽用于盛装去离子水,位于所述底座的顶部,所述承载槽的底壁设置有限位通孔,所述承载槽内设置有温度传感器;晃动机构包括晃动主体和动力机构,其中晃动主体位于承载槽内,动力机构以能够穿过限位通孔驱动晃动主体晃动的方式设置在底座内;承载盘浸没在去离子水中,并设置在晃动主体的顶部,通过柔性密封套连接承载槽的底壁;超音波换能器具有多个,均匀嵌设在底座的顶部,并正对所述承载槽。该低温水域下蜡装置能够避免高温对人员造成的潜在危险,减少slurry的黏附量,方便后续清洗工艺的进行。 | ||
搜索关键词: | 超音波 低温 水域 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造