[实用新型]一种双芯超结MOS器件有效
| 申请号： | 202222485722.3 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN218039220U | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 周文定;苏建中;辜睿智 | 申请（专利权）人： | 成都赛力康电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L25/07;H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 吕春艳 |
| 地址： | 610200 四川省成都市中国(四川)自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双芯超结 mos 器件 | ||
【主权项】：
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