[实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 202222490625.3 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN218447921U | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陈昊宇;潘文斌 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区，复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区，左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离。本实用新型的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻，实现器件的低阻化和降低了器件的发热量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 功率 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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