[实用新型]一种真空吸附的加热退火装置有效
| 申请号： | 202222506108.0 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN218647887U | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘庆伏;肖平;杨永军;赵志国;赵东明;李新连;付林 | 申请（专利权）人： | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能青海发电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L31/18;H05B3/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 100036 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种真空吸附的加热退火装置，包括：加热平台，具有沿周向布置的密封圈，密封圈凸出加热平台的表面并用于支撑基板，基板在加热平台上的竖直投影能够完全遮挡密封圈；真空吸附组件，设置在加热平台上，密封圈饶设在真空吸附组件外侧，真空吸附组件吸附基板时密封圈受压与加热平台平齐。通过真空吸附基板，以使基板靠近加热平台，使基板挤压密封圈，密封圈受压变形，直至基板与加热平台紧密接触，由于密封圈的密封作用，可使加热平台与基板之间密封连接，避免了密封不严，真空吸盘组件吸附时吸附效果不稳定的问题，从而形成良好的热传导，并且受热均匀，避免因接触不良导致受热不均从而产生的翘曲应变和裂片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 吸附 加热 退火 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
