[实用新型]一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚有效
| 申请号： | 202222541610.5 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN218155480U | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 曹殿学;管军;陈思羽;屈会冬 | 申请（专利权）人： | 黑龙江省华升石墨集团股份有限公司 |
| 主分类号： | F27B14/10 | 分类号： | F27B14/10;F27B14/12;F27B14/14 |
| 代理公司： | 安徽思尔六知识产权代理事务所(普通合伙) 34244 | 代理人： | 闫啸 |
| 地址： | 154103 黑龙江省鹤岗市南山区54*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及纯化设备技术领域，具体公开了一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，包括坩埚锅体和坩埚盖体，所述坩埚盖体可拆卸式装配至坩埚锅体的顶端，所述坩埚锅体的内壁中部设有中空柱，且中空柱的壁体上分布有气孔。本实用新型在传统的坩埚结构上引入沙漏状的入料机构，在坩埚中部设计成中空凸起形式，随着纯化气体吹入，将粉体快速贴合在坩埚壁体上，中空内壁的石墨材料充分吸收热场温度，增大坩埚表面积，有效解决坩埚内粉体中心温度与边缘温度不一致、纯化气体不容易进入到坩埚内部与杂质反应，粉体内气化杂质难排出的问题，提高纯化粉体纯度等级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 纯度 半导体 基材 材料 高温 纯化 坩埚 | ||
【主权项】：
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