[实用新型]一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器有效
申请号: | 202222762090.0 | 申请日: | 2022-10-19 |
公开(公告)号: | CN218621036U | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 李种玉;张生利;王永谦;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京市天元律师事务所 16010 | 代理人: | 夏智海 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及镀膜技术领域,具体涉及一种稳定气流场的抽气装置LPCVD管式反应器,抽气装置应用在LPCVD管式反应器上,LPCVD管式反应器内设有工艺区,抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部;主抽气部位于工艺区的一端,至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。本实用新型在工艺区的两端分别设置了主抽气部和次抽气部,二者都具有抽气能力,从而使得LPCVD管式反应器中的在远离主抽气部的一端的气体也能够被及时抽走,不会产生紊流而积累气体,从而避免工艺特气提前反应而聚合产生粉尘颗粒落到硅片上造成膜的表面粗糙,确保膜的致密性好,确保硅片上的膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳定 气流 装置 lpcvd 反应器 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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