[实用新型]一种MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 202222771492.7 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN218679022U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 范亚东;周兴国;王艳军;刘昊;刘忠菊 | 申请（专利权）人： | 沈阳贝特瑞科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/60 |
| 代理公司： | 沈阳新科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21117 | 代理人： | 何军 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET驱动电路，包括电源VCC、微控单元MCU及驱动单元，电源VCC和微控单元MCU分别与驱动单元两个输入端相连。驱动单元包括三极管T1和三极管T2，三极管T1的发射极与基极间接有电阻R4，三极管T2的基极与发射极间接有电阻R6。三极管T1的基极通过电阻R5与三极管T2的集电极相连，集电极作为驱动电路的输出端Uout，三极管T2的发射极接地。本申请通过微控单元控制两个三极管T1和T2的导通与截止，进而控制电源与输出端间的接通和断开，增强了驱动能力，且整个过程中微控单元输出的高低电平逻辑与实际驱动MOSFET电平逻辑相同，驱动频率相同，增加了驱动可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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