[实用新型]一种碳化硅功率器件及其封装结构有效
| 申请号： | 202223033503.8 | 申请日： | 2022-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN218647914U | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 叶红海;印晓春;印水柔 | 申请（专利权）人： | 宁波君芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/161 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 何路;游强 |
| 地址： | 315048 浙江省宁波市高新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅功率器件体，碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，功率器件基板的顶部设置有正电极层，功率器件基板的底部设置有负电极层，正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，粘接层的外壁固定安装有烧结层，烧结层的外壁固定安装有金属层，碳化硅外层设置在金属层的外部，本实用新型中功率器件基板的外部利用粘接层连接固定烧结层，烧结层和金属层提高碳化硅功率器件体的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体的耐高温性能和稳定性，在塞盖转动过后，推压件移动便于碳化硅功率器件体的固定封装，降低碳化硅功率器件体的松动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 及其 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波君芯半导体有限公司，未经宁波君芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202223033503.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种再生液通道可串并联切换的离子色谱抑制器
- 下一篇：一种管件润滑设备
