[发明专利]光刻掩膜板在审
申请号: | 202310003540.4 | 申请日: | 2023-01-03 |
公开(公告)号: | CN116300301A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 张煜;李培生 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光刻掩膜板。该光刻掩膜板包括掩膜板基体,该掩膜板基体具有第一表面,且第一表面中具有掩膜图形,该掩膜图形用于采用光刻工艺传递至晶圆上;光罩结构,该光罩结构设置于掩膜板基体的具有第一表面的一侧,与第一表面接触的至少部分光罩结构具有电导性,以使光罩结构和部分第一表面构成封闭区域,上述掩膜图形位于封闭区域中的第一表面中。从而使得在静电放电的情况下,静电能够沿着该光罩结构传输至远离掩膜图形的一侧,从而避免了静电对掩膜图形的损害。 | ||
搜索关键词: | 光刻 掩膜板 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310003540.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种市政污泥再生资源化处理装置
- 下一篇:一种鞋口标贴及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备