[发明专利]分栅闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310012368.9 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116261330A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张高明;陆亮;于涛 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅闪存器件的制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层、浮栅层、氧化硅介质层、擦除栅层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层中刻蚀一开口；形成第一侧墙；刻蚀开口底部的擦除栅层；形成第二侧墙；刻蚀开口底部的浮栅层；形成源区；形成第三侧墙；去除部分厚度的第一氮化硅层和部分第三侧墙；形成源线；去除多余的第一侧墙、第二侧墙和源线。本申请通过先形成较厚的第一氮化硅层，然后形成第一侧墙、第二侧墙，接着形成第三侧墙，再去除部分厚度的第一氮化硅层，这样可以在不影响后续的逻辑集成工艺的情况下，降低了形成第三侧墙的难度，改善第三侧墙的形貌、厚度均匀性，提高了器件抗击穿能力，避免了数据发生串扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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