[发明专利]测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法在审
| 申请号： | 202310056798.0 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN115980550A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 詹晖 | 申请（专利权）人： | 成都环宇芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，涉及集成电路技术。本发明包括下述步骤：（1）对于紧邻PMOS‑NMOS结构，将NMOS管的源端和衬底接GND，PMOS管的源端和阱电位接第一外部连接点，第一外部连接点接VCC，NMOS管的漏端和PMOS管的漏端接第二外部连接点；（2）在第二外部连接点连接电流源；（3）测量第一外部连接点的输入电流变化量△I |
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| 搜索关键词： | 测试 半导体 芯片 效应 放大 倍数 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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