[发明专利]包括电介质结构的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202310093273.4 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116544278A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | C·D·阮;T·施洛瑟 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;吕传奇 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了包括电介质结构的场效应晶体管。提出了一种场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括第一导电类型的源极区(102)，其在半导体本体(108)的第一表面(106)处电连接到源极电极(104)。FET(100)进一步包括第一导电类型的漏极区(110)，其在第一表面(106)处电连接到漏极电极(112)。电介质结构(114)被沿着第一横向方向(x1)布置在源极区(102)和漏极区(110)之间。电介质结构(114)包括在第一表面(106)上的栅极电介质(1141)和具有在第一表面(106)下方的底部侧(115)的场电介质结构(1142)。FET(100)进一步包括在栅极电介质(1141)上的栅极电极(118)。栅极电极(118)和场电介质结构(1142)被沿着第一横向方向(x1)彼此间隔开。FET(100)进一步包括场电极(120)，其具有在场电介质结构(1142)的顶部侧(116)下方的底部侧(121)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电介质 结构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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