[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
申请号: | 202310108494.4 | 申请日: | 2023-02-10 |
公开(公告)号: | CN116056453A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 张钦福 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00;H01L23/528;H01L23/522 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 郑哲琦;吴昊 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种半导体结构,包括衬底,设置在所述衬底上的多条位线,多条位线沿着第一方向延伸通过衬底的周边区和存储区并且沿着第二方向平行排列。多个绝缘插塞以及多个第一间隔物交替设置在周边区的位线之间。还包括:交替设置在存储区的位线之间的多个导电插塞以及多个第二间隔物。第一间隔物和第二间隔物包括相同材料,且第二间隔物的宽度小于第一间隔物的宽度,如此可获得尺寸较大的导电插塞以降低电阻,同时确保导电插塞之间的电性隔离。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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