[发明专利]一种射频前端模组封装工艺结构在审

专利信息
申请号: 202310120300.2 申请日: 2023-02-16
公开(公告)号: CN115881655A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 朱祥;董元旦;杨涛;马增红 申请(专利权)人: 成都频岢微电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/66;H01L25/18
代理公司: 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 代理人: 傅晓
地址: 611730 四川省成都市郫都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种射频前端模组封装工艺结构,通过将阻焊层的制作厚度加厚,并将阻焊层上开窗的大小设置为比裸die的滤波器或者双工器尺寸要小些,将芯片放入开窗内,经过SMT焊接后,裸die的边缘就能很好地支撑起裸die,并且形成空腔,从而使得裸die的封装简化,降低二次封装的成本和高昂的封装材料。另一方面,本发明中通过阻焊层对裸die的支撑作用,大大的提高了射频前端模组封装的可靠性。
搜索关键词: 一种 射频 前端 模组 封装 工艺 结构
【主权项】:
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