[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 202310126922.6 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN115954354A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 汪志刚;张卓 | 申请（专利权）人： | 强华时代（成都）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/739;H01L21/8222;H01L27/07;H01L23/544 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 王玲玲 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法，其中，晶体管包括：衬底和外延层；所述外延层上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管；所述主IGBT管的发射极与检测IGBT管的发射极通过检测电阻连接，其栅极与检测IGBT管的栅极连接。本发明的背靠背齐纳二极管连接在检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间，并用于配置在静电放电期间(ESD)钳位检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的电压，针对检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的正向和反向电流提供ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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