[发明专利]一种通过低温退火进一步细化纳米晶晶粒的材料与方法在审
| 申请号： | 202310128236.2 | 申请日： | 2023-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115948671A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 单贵斌;兰司;冯涛;薛源;英会强 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;B22F9/08;B22F3/02;B22F3/24;B22F1/07 |
| 代理公司： | 安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34200 | 代理人： | 石家惠 |
| 地址： | 210094 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及粉末冶金领域也属于热处理工艺领域，公开了一种通过低温退火进一步细化纳米晶晶粒的材料与方法，先运用真空电弧熔炼炉制备高纯中熵VCoNi块体材料；随后通过冷轧与热处理工艺对其进行组织均匀化处理；接着通过真空状态下激光惰性气体冷凝和超高压制备纳米晶块体材料；最后在不高于材料0.4个熔点的温度下进行真空保温退火实验实现晶粒尺寸的降低。本发明通过惰性气体冷凝制备的纳米晶VCoNi中熵合金在200℃和400℃保温一小时退火后，平均晶粒尺寸分别从制备态的42nm降低至37nm和31nm。传统晶粒细化的手段往往不仅需要花费漫长的制备时间还需要巨大的能源消耗，本发明的晶粒细化手段不仅操作简单，而且能够大大降低制备的时间和资金成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 低温 退火 进一步 细化 纳米 晶粒 材料 方法 | ||
【主权项】：
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