[发明专利]一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法在审
| 申请号： | 202310134746.0 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116107152A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陆影 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/44;G03F1/36;G03F1/72;G03F1/84;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;浦彩华 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供了一种掩膜版结构及其制备方法及其相关检测方法，其中，所述掩膜版结构包括：基板，所述基板至少包括切割道区域，所述切割道区域至少包括第一区域；位于所述基板上的第一遮光层，部分所述第一遮光层构成第一图案，所述第一图案位于所述第一区域，且所述第一图案至少包括第一边界；第二图案，所述第二图案暴露出所述基板，且所述第二图案至少包括第二边界；其中，所述第一图案和所述第二图案构成校准标记，且至少部分所述第一边界和至少部分所述第二边界在所述基板上的正投影相互重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 结构 及其 制备 方法 相关 检测 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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