[发明专利]一种对帽层access区域进行不完全刻蚀方式的器件结构及方法在审
| 申请号： | 202310155693.0 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116387156A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 祝杰杰;马晓华;秦灵洁;郭静姝;刘思雨;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对帽层access区域进行不完全刻蚀方式的器件结构及方法，包括：选取外延基片；在P型GaN帽层上刻蚀出access区域；在源电极区域和漏电极区域制备欧姆接触的源电极和漏电极；在外延基片上刻蚀有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极、access区域的P型GaN帽层上制备钝化层；刻蚀中间未被刻蚀的P型GaN帽层、钝化层以制备Fin结构，之后进行氧化处理；在部分钝化层和钝化层之间的P型GaN帽层上制备T型的栅电极；在金属互联区域制备金属互联层，以完成器件结构的制备。本发明在已长有P型GaN帽层的外延基片上对access区域的P型GaN帽层进行不完全刻蚀，利用Fin结构及侧壁氧化的方式得到增强型器件，利用Fin结构与P型GaN帽层组合的方式，提高阈值电压，增加栅控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 access 区域 进行 不完全 刻蚀 方式 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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