[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202310158733.7 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116110890B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李荷莉;张拥华 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件，埋层、外延层和绝缘部依次层叠设置于衬底上；第一导体测试部、第二导体测试部以及第三导体测试部均位于绝缘部的两侧，第一导体测试部位于外延层以及埋层中且延伸入衬底内，第一导体测试部与外延层以及埋层绝缘；第二导体测试部位于外延层中且延伸入埋层内，第二导体测试部与外延层绝缘；第三导体测试部延伸入外延层内，部分第三导体测试部与外延层绝缘，第三导体测试部和所述第二导体测试部位于埋层之上，第三导体测试部、第二导体测试部以及第一导体测试部间隔设置；衬底、外延层以及第一导体测试部与埋层、第二导体测试部以及第三导体测试部的掺杂类型不同，以达到快速检测注入离子的分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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