[发明专利]MOM电容结构及其制备方法、存储器在审
| 申请号： | 202310182628.7 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116093085A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 廖黎明;仇峰;张蔷;王帅 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOM电容结构及其制备方法、存储器。所述MOM电容结构包括：至少一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；至少一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。通过将所述第一电极层与所述第二电极层设置为互相垂直结构，减少金属层工艺时金属线的重叠度飘动带来的电容值影响，使电容值更加稳定，提高工艺良品率。 | ||
| 搜索关键词： | mom 电容 结构 及其 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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