[发明专利]等离子体调节装置及半导体刻蚀设备有效
| 申请号： | 202310186850.4 | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115881506B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 丁晨曦 | 申请（专利权）人： | 深圳市新凯来技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 邱婧雯;臧建明 |
| 地址： | 518111 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种等离子体调节装置及半导体刻蚀设备，等离子调节装置包括腔体、第一电极、第二电极、约束环和驱动机构；腔体的顶壁设置有第一通孔，腔体的底壁设置有第二通孔；所述第一电极固定安装于所述腔体内，所述第一电极位于晶片下方；所述第二电极位于所述腔体的上方，所述第二电极暴露于所述第一通孔内的部分与所述第一电极相对，所述第二电极与所述腔体固定连接；约束环套设于第一电极外侧，可相对第一电极滑动；驱动机构位于腔体的下方，穿设于第二通孔内与约束环连接，驱动约束环相对第一电极滑动，以对等离子体的体积进行调节。该等离子体调节装置能够避免驱动机构产生的微小颗粒掉落至晶片上，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 调节 装置 半导体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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