[发明专利]基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置在审
| 申请号： | 202310194884.8 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116466204A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈承静;柴俊标;卜建明;贺庭玉;廖剑;余亮 | 申请（专利权）人： | 杭州中安电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州浙言专利代理事务所(普通合伙) 33370 | 代理人： | 胡勇康 |
| 地址： | 311123 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN器件测试技术，公开了基于GaN器件DHTOL试验测试方法和装置，其包括包括控制端，VDS采样模块、VD漏电流测试模块和IM恒流模块；控制端用于提供PWM波至测试GaN器件的G端；VDS采样模块用于采集测试GaN器件端的导通压降；VD漏电流测试模块用于测试测试GaN器件端的漏电流Idss；恒流模块用于测试测试GaN器件端的导通电阻。本发明在动态试验中，可快速对GaN器件的性能进行测试，如反向漏电流IDSS,导通电阻RDson,导通Ig电流。可以很好的反应出器件的动态老化特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 器件 dhtol 试验 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
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