[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202310215733.6 | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116075152A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 曹堪宇;肖德元;冯道欢 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：多个半导体柱，半导体柱沿第一方向和第二方向排列，且沿第三方向延伸，半导体柱在沿第三方向上包括依次排列的第一区、第二区和第三区；多条沿第四方向延伸的字线，字线与半导体柱的第二区连接，且在沿第四方向上，同一字线连接多个半导体柱；多条沿第五方向延伸的位线，位线与半导体柱的第一区连接，且在沿第五方向上，同一位线连接多个半导体柱；其中，在沿第四方向上半导体柱交替设置于字线的中心轴线的两侧，或者，在沿第五方向上半导体柱交替设置于位线的中心轴线的两侧，以改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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