[发明专利]对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及封装设备在审
| 申请号： | 202310227637.3 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116130366A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张晓军;龚文志;杨洪生;邵寿潜;袁明;胡小波;陈志强;方安安;姜鹭 | 申请（专利权）人： | 深圳市矩阵多元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 林明校 |
| 地址： | 518131 广东省深圳市龙华区民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种对基材表面进行脱气的方法、半导体器件封装方法以及执行该封装方法的封装设备。本发明的对基材表面进行脱气的方法，包括如下步骤：S1、打开脱气腔；S2、往所述脱气腔中送入多片基材；S3、关闭所述脱气腔；S4、在所述脱气腔内同时对多片所述基材进行脱气；S5、打开所述脱气腔；S6、将多片所述基材从所述脱气腔送出。根据本发明第一方面的对基材表面进行脱气的方法，能够抑制基材在脱气制程中出现的翘曲以及部分区域脱气不充分的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 表面 进行 脱气 方法 半导体器件 封装 以及 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
