[发明专利]一种薄膜电容金属化膜片的制备方法在审
| 申请号： | 202310243657.X | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115938804A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 戴晶怡;罗飞雪 | 申请（专利权）人： | 四川省科学城久信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/38;H01G13/00 |
| 代理公司： | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人： | 傅超 |
| 地址： | 621054 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电容金属化膜片的制备方法，涉及电容器金属化薄膜制备技术领域，包括以下步骤：S1、利用一维金属化图样的连续卷绕真空蒸镀设备生产二维周期性金属化图样薄膜；S2、利用薄膜分切技术将二维周期性金属化图样薄膜分切为膜带卷料；S3、利用膜带裁切技术将膜带卷料裁切为非完备周期金属化图样膜片，非完备周期金属化图样膜片分为正电极膜片、负电极膜片；S4、将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片，同构膜片形成奇数个单元电容串联的阵列电容器；或者将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片，异构膜片形成偶数个单元电容串联的阵列电容器。本方案可以制备非完备周期二维金属化图样膜片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电容 金属化 膜片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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