[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310287132.6 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116546821A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张中;孙中旺;周文犀;夏志良;张帜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/50;H10B43/10;H10B43/40;H10B43/27;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘景峰;林锦辉 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其形成方法。根据本公开的实施例，提供了一种半导体器件，其可以包括由在衬底之上交替地堆叠的字线层和绝缘层来形成的堆叠体。第一块的第一阶梯可以形成于堆叠体中并且在第一块的第一阵列区之间延伸。第二块的第二阶梯可以形成于堆叠体中并且在第二块的第二阵列区之间延伸。半导体器件可以进一步具有形成于堆叠体中在第一阶梯和第二阶梯之间的连接区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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