[发明专利]一种解耦的主变虚端子校核方法在审
| 申请号： | 202310287756.8 | 申请日： | 2023-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN116541720A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 孔凡坊;黄志清;何玉灵;裘愉涛;刘辉乐;王珠峰;杨剑友;胡佳佳;牛俊涛;陈培训;钟薇薇 | 申请（专利权）人： | 国网浙江省电力有限公司温州供电公司;华北电力大学（保定）;温州电力建设有限公司;武汉凯默电气有限公司 |
| 主分类号： | G06F18/22 | 分类号： | G06F18/22;G06F40/186 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 欧阳俊 |
| 地址： | 325000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解耦的主变虚端子校核方法，包括：步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。方案采用较少的校核模板适配不同电压等级的接线组合，显著提高了主变虚端子的校核效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 主变虚 端子 校核 方法 | ||
【主权项】：
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