[发明专利]一种玻璃的孔金属化工艺在审
| 申请号： | 202310296653.8 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116314011A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 易伟华;张迅;刘松林;严伟勇;彭庆;边聪 | 申请（专利权）人： | 湖北通格微电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨威 |
| 地址： | 431700 湖北省天门市经济*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种玻璃的孔金属化工艺，包括以下步骤：对玻璃依次进行上片前贴膜、孔金属化、预烤、撕膜、表面导电膏处理和固烤，包装后得到孔金属化的玻璃成品。与现有技术相比，本发明提供的玻璃的孔金属化工艺，采用特定工艺步骤，实现整体较好的相互作用，能够适用于超薄玻璃的孔金属化，破片率低且导通效果好。实验结果表明，本发明提供的玻璃的孔金属化工艺，破片率低于2％；得到的孔金属化的超薄玻璃成品的导电阻值为1±0.9Ω，实现硬性及柔性miniled显示效果更加清晰，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 金属化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
