[发明专利]太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202310302551.2 | 申请日: | 2023-03-24 |
公开(公告)号: | CN116207186A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 高永强 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/0747 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 汪贝贝 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳电池的制备方法,包括以下步骤:对微晶硅片进行表面清洗,以去除所述微晶硅片表面上的有机物脏污和杂质;对表面清洗后的所述微晶硅片进行钝化处理,以在所述微晶硅片的表面形成磷硅玻璃层,得到第一微晶硅片中间体;采用含有碱性试剂的粗抛处理液对所述第一微晶硅片中间体进行粗抛处理,以去除所述磷硅玻璃层,得到第二微晶硅片中间体;对所述第二微晶硅片中间体进行制绒,以在所述第二微晶硅片中间体的表面形成金字塔绒面,得到制绒微晶硅片;在所述制绒微晶硅片上制备非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜;在所述透明导电薄膜上制备电极。本发明能够提高太阳电池的转换效率。本发明还提供一种太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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