[发明专利]三维扇出封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202310309927.2 | 申请日: | 2023-03-28 |
公开(公告)号: | CN116581092A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 马书英;赵艳娇;付东之 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/48 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 马振华 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了三维扇出封装结构及其制造方法,所述结构包括:芯片,所述芯片上制作有焊盘;铜箔,所述芯片通过胶膜与铜箔粘连;塑封体,所述塑封体将芯片及胶膜封装在内部,且塑封体上还制造有铜柱;第一RDL线路层,所述第一RDL线路层制作在塑封体的其中一面上,并在第一RDL线路层上制作植球;第二RDL线路层,所述第二RDL线路层制作在塑封体的另一面上,并在第二RDL线路层上制作植球,所述铜箔作为第二RDL线路层的线路。本发明中铜箔直接作为RDL线路层的线路,无需通过PVD、光刻、电缆的工艺制成;同时采用DAF膜将芯片和铜箔进行粘接,无需采用临时键合胶以及拆解键合胶的制成,可进一步降低成本。 | ||
搜索关键词: | 三维 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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