[发明专利]超结结构、半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310330672.8 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116364759A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 施建洲;熊育飞;刘成红;翟彪 | 申请（专利权）人： | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姜晓云 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种超结结构、半导体器件结构及其制备方法。超结结构包括：第一导电类型的外延层、第二导电类型的外延层、多个第一沟槽、第二导电类型的填充外延层、多个第二沟槽以及第一导电类型的填充外延层。其中，第一导电类型的外延层和第二导电类型的外延层沿厚度方向交替层叠。多个第一沟槽位于第一导电类型的外延层内。多个第一沟槽沿第一方向间隔排布，且各第一沟槽均沿第二方向延伸。第二导电类型的填充外延层位于第一沟槽内。多个第二沟槽位于第二导电类型的外延层内。多个第二沟槽沿第二方向间隔排布，且各第二沟槽均沿第一方向延伸。第一导电类型的填充外延层位于第二沟槽内。此超结结构可以提高超结型半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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