[发明专利]一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法在审
| 申请号： | 202310340700.4 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116516463A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐永宽;李福昌;齐小方 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/12;C30B15/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法。所述结构包括：用于固定籽晶的吊杆；用于放置助溶液的內坩埚；用于控制內坩埚高度的石墨环；用于防止内坩埚腐蚀泄露的外坩埚；可提供保温的硬石墨毡盖及软毡；可束缚软毡和支撑热场结构的石英管。所述方法为：将盛放在坩埚内的硅和助熔剂在高温下熔化成有一定碳溶解度的助溶液；使籽晶下降至液面处开始碳化硅晶体的生长；在摆放装置前通过设计一定高度的石墨环控制助溶液高温区的位置，保证低温区在籽晶附近。本发明可使得碳化硅晶体生长过程中仅籽晶处位于相对低温的区域，石墨环的摆放可避免除籽晶外其他地方产生自发成核；孔径和厚度可调的石墨盘可保证均匀的径向温度和过饱和度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 生长 碳化硅 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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