[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310359924.X | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116314335A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 余恒文;鈴木健之;李旻姝;郑英豪;牛连瑞;洪吉文 | 申请（专利权）人： | 浙江萃锦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 蒯建伟 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市慈*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，属于半导体器件技术领域。N型半导体基底上形成低浓度N‑外延层；在外延层上形成P型区；P型区之上是源区，贯穿源区至P型区的内部形成沟槽，沟槽以及底面不到达外延层；在沟槽底面形成N型区，在沟槽侧壁以及沟槽底表面上生长绝缘薄膜，绝缘薄膜上是多晶硅膜制成的栅电极，栅电极上是层间绝缘膜；在源极区域上形成源电极；在基底的背面生长金属形成漏极电极；栅电极与栅极端子TG电连接，源电极与源极端子TS电连接，漏电极与漏极端子TD电连接。当器件在工作时从源区至P区电子流入漏区时其导通电阻会更小，沟槽底部拐角处的电场集中问题得以改善，解决开关速率降低，功率损耗升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江萃锦半导体有限公司，未经浙江萃锦半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310359924.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
