[发明专利]一种MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310395484.3 | 申请日： | 2023-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116564994A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 何志强;陶永洪;刘佳维;史军;肖帅 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 强珍妮 |
| 地址： | 410217 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供一种MOSFET器件及其制备方法，其中，MOSFET器件包括：第一导电类型的半导体外延结构；在半导体外延结构内间隔设置的若干个第二导电类型的第一多边形区，第一多边形区从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸；若干个第一导电类型的第二多边形区，分别设置在对应的第一多边形区内，第二多边形区从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸；每一第二多边形区包括：与第一多边形区相连且从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸的多个第一侧壁，第二多边形区中相邻的两第一侧壁之间的拐角面为弧面上述方案，能够在减小晶体管的导通电阻的同时，提高晶体管的反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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