[发明专利]一种基于NAND闪存控制器的纠错方法及系统在审
| 申请号： | 202310406848.3 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116364163A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘世军;郑柯;汪涛;彭新 | 申请（专利权）人： | 武汉喻芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 袁凯 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于存储主控芯片技术领域，具体提供了一种基于NAND闪存控制器的纠错方法及系统，其中方法包括：输入端获取写指令，将写入数据写入到写入数据缓存模块，并生成随机数；将写入数据与随机数发送至优化数据模块进行优化，最后将优化后的数据存储到NAND存储颗粒；输入端读取读指令，将数据从NAND存储颗粒里读取出来，进行纠错处理，通过与写数据时相同的随机数进行去优化处理；将处理好的数据传输到读取数据缓存模块，再通过读指令读出数据到Host系统。本发明通过设计使用可提高纠错效率的设计结构和方法，可以广泛地使用多种不同类型的闪存颗粒，解决了现有存储主控芯片中的纠错技术里难以解决的大量连续相同数据写入，尤其是当存储数据出现长“1”或长“0”时，造成纠错效率低下或无法纠错的问题，有效地提高了存储主控芯片的纠错性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nand 闪存 控制器 纠错 方法 系统 | ||
【主权项】：
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