[发明专利]晶圆级扇出封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310459339.7 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116469788A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 庞宏林;刘展文;施黄竣元;高司政;江晨浩 | 申请（专利权）人： | 甬矽半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级扇出封装结构的制备方法包括：提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；在钝化层上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀光刻胶层以形成第一窗口，第一窗口在来料晶圆上的正投影覆盖焊盘，且第一窗口的边缘与焊盘的边缘不重合；在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘；去除光刻胶层，并去除露出的导电层，以得到第一器件；切割第一器件以得到单颗芯片。该晶圆级扇出封装结构的制备方法能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级扇出 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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