[发明专利]一种表贴晶振电性能调试装置及方法在审
申请号: | 202310484086.9 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116581045A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 韩艳菊;郑鸿耀;赵生双 | 申请(专利权)人: | 北京无线电计量测试研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆 |
地址: | 100854 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种表贴晶振电性能调试装置及方法,解决了现有技术中需反复取放调试结构的问题。本申请实施例提供一种表贴晶振电性能调试装置,包含测试电路板、压板、调节限位结构、固定座和第一软性导电材料。所述固定座固定设置在测试电路板上,固定座上开有柱状的贯通腔。所述压板可拆卸的固定设置在固定座上。所述贯通腔的两端分别正对测试电路板和压板。所述第一软性导电材料设置在贯通腔内。所述调节限位结构,用于限位压板远离固定座。本申请操作方便,连接可靠,抗干扰能力强,简单改造后就可成为电路板和底座以及晶振的测试和筛选装置,具有较强实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 表贴晶振电 性能 调试 装置 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造