[发明专利]一种IC塑封导电膜的制备工艺在审
| 申请号： | 202310493338.4 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116469781A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 周树法 | 申请（专利权）人： | 昆山立特纳米电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/56 |
| 代理公司： | 苏州尚贤专利代理事务所(普通合伙) 32702 | 代理人： | 朱江 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明适用于IC塑封技术领域，提供了一种IC塑封导电膜的制备工艺，包括以下步骤：S1、将基板输送至进料机构上，通过进料机构将基板输送至指定装置腔体内。S2、通过进料机构将基板输送至塑封装置内部的入料腔中，入料腔内部达到大气压力与真空腔隔离的效果。该IC塑封导电膜的制备工艺，通过进入加热腔，用于基板预热和初步清洗，通过电桨清洗腔，以电桨去除表面污染物，来增强镀膜层的附着力，输送至传送腔并加热后进入制程腔体，使气体均匀导入，进行溅镀，溅镀完成后，经过传送腔，流转至高真空缓冲及出料腔，完成制作，解决在半导体IC塑封中存在的短路、分层失效现象的问题，保证拉力较好和晶元不会存在短路失效的好处。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 塑封 导电 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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