[发明专利]一种沟槽型功率MOSFET器件及工艺流程在审
| 申请号： | 202310502135.7 | 申请日： | 2023-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN116598358A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 于霄恬 | 申请（专利权）人： | 海科（嘉兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 田金霞 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件及工艺流程，属于半导体制造技术领域，用于解决肖特基结构和MOSFET结构共同占用器件的有源区部分，若二者失衡，会导致较大的MOSFET导通损耗，或使得肖特基二极管的电流导通能力较弱的技术问题。器件包括：外延层、外延层平台表面的多个阱区、位于每个阱区内部的源极区域，以及位于每个源极区域中心位置的第一高掺杂P型区域；在相邻的两个源极区域之间存在沟槽结构，所述沟槽结构的截面呈U形，且底部拐角处为圆角；两个第二高掺杂P型区域分别包裹沟槽结构底部的两个圆角及部分沟槽底部区域；相邻两个第二高掺杂P型区域之间形成肖特基区域；阱区与相邻的第二高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 mosfet 器件 工艺流程 | ||
【主权项】：
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