[发明专利]一种GaN芯片的封装结构在审
| 申请号： | 202310507410.4 | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116230702A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 曹周;杨振;陈勇;饶锡林;孙少林;张怡;易炳川;蔡择贤;黄乙为;桑林波;王仁怀 | 申请（专利权）人： | 广东气派科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人： | 吴雅丽 |
| 地址： | 523330 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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