[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202310526519.2 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN116386697A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 日冈健;小林司;加藤光司;清水佑树;前岛洋 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1存储单元和第2存储单元;第1字线,连接于所述第1存储单元和所述第2存储单元的栅极;第1位线,连接于所述第1存储单元;第2位线,连接于所述第2存储单元;第1读出放大器,具有连接于所述第1位线的第1感测节点;第2读出放大器,具有连接于所述第2位线的第2感测节点;以及电压生成电路,具有连接于所述第1读出放大器的第1驱动器和连接于所述第2读出放大器的第2驱动器,在读出动作中,所述第1驱动器向所述第1感测节点供给第1电压,所述第2驱动器向所述第2感测节点供给低于所述第1电压的第2电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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