[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202310526519.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116386697A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 日冈健;小林司;加藤光司;清水佑树;前岛洋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元和第2存储单元；第1字线，连接于所述第1存储单元和所述第2存储单元的栅极；第1位线，连接于所述第1存储单元；第2位线，连接于所述第2存储单元；第1读出放大器，具有连接于所述第1位线的第1感测节点；第2读出放大器，具有连接于所述第2位线的第2感测节点；以及电压生成电路，具有连接于所述第1读出放大器的第1驱动器和连接于所述第2读出放大器的第2驱动器，在读出动作中，所述第1驱动器向所述第1感测节点供给第1电压，所述第2驱动器向所述第2感测节点供给低于所述第1电压的第2电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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