[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202310534526.7 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116314276B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;陈钱;陈银 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件，包括：金属集电极具有第一区域以及第二区域；N型缓冲层设置于金属集电极上；N型漂移部和超结N型漂移部同层设置于N型缓冲层上，且N型漂移部位于第一区域，超结N型漂移部位于第二区域；第一P型保护部设置于N型漂移部中；超结P型柱部以及第二P型保护部设置于超结N型漂移部中；第一栅极结构和第一发射电极位于第一区域；第二栅极结构和第二发射电极位于第二区域；P型阻挡部以及N型截止部设置于第一P型保护部与第二P型保护部之间，隔离部设置于N型缓冲层中且与P型阻挡部接触设置，N型截止部位于P型阻挡部远离隔离部的一侧，以避免器件内出现干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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