[发明专利]一种引线框架卷式蚀刻工艺有效
| 申请号： | 202310543129.6 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116525497B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 康小明;康亮;张博 | 申请（专利权）人： | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 陆华 |
| 地址： | 741020 甘肃省天水*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及引线框架蚀刻领域，尤其涉及一种引线框架卷式蚀刻工艺，该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤：步骤一：选材，选取铜材基板，进行水洗除尘的表面清洗；步骤二：涂布，将油膜涂布或者压膜在铜材质上面；本发明通过设置基座、壳体、喷头、吸头、L形喷射管、化学吸液棉辊和活塞板，使得强碱溶液与引线框架顶面反应后，残留的强碱溶液能够会收集并重新与引线框架顶面和底面接触反应，提高了强碱溶液的利用率，同时引线框架的双面都能与强碱溶液接触，提高了对引线框架的清理效果，并且在喷头和L形喷射管的作用下，能够将膨松状态下的感光胶去除，有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触，从而有利于提高对引线框架的清理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
