[发明专利]一种双端口SRAM读写性能的测试方法、装置及计算机设备在审
| 申请号： | 202310545611.3 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116580749A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 栾玉雪;王帆;孙海涛 | 申请（专利权）人： | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张元;马鹏林 |
| 地址： | 250000 山东省济南市中国（山东）自由贸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双端口SRAM读写性能的测试方法、装置及计算机设备，其中，方法包括：对待测的双端口SRAM执行全盘写操作；在双端口SRAM满盘的状态下强制对指定的block执行GC操作，GC操作包括读数据、重写或擦除数据；在使得指定的block执行GC操作的过程中，随机指定第一端口执行下电操作，并使得第二端口处于上电状态；在预设时间后对第一端口上电，并对第一端口读写范围内的block进行数据校验。本发明通过在双端口SRAM满盘的状态下执行GC操作，并验证在此过程中任意一个端口或双端口同时执行下电操作对双端口SRAM读写功能影响，并通过对应端口恢复上电后的数据校验进行性能验证，由于GC操作包含读数据、重写或擦除数据等操作，因此能够实现基于指定block的全面验证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 端口 sram 读写 性能 测试 方法 装置 计算机 设备 | ||
【主权项】：
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