[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310555400.8 | 申请日： | 2023-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116322043B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄猛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构包括：基底，具有电容容置槽；半导体导电柱，位于电容容置槽内，且半导体导电柱沿第一方向延伸并悬挂于电容容置槽的第一方向上的两个侧壁之间；第一电容电极，包括第一电极部以及第二电极部，第一电极部位于半导体导电柱表面，第二电极部位于电容容置槽的第二方向上的侧壁表面和/或电容容置槽底面，第二方向与第一方向相交；电容介质层，位于第一电容电极表面；第二电容电极，位于电容介质层表面，且填充电容容置槽；电极互连结构，连接第二电容电极与第二电极部，且与第一电极部绝缘隔离设置。本公开实施例可以有效防止第二电极部与第二电容电极形成面电容，从而可以提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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