[发明专利]工艺腔室控压设备标定方法、标定装置及半导体工艺设备在审
申请号: | 202310644216.0 | 申请日: | 2023-06-01 |
公开(公告)号: | CN116657121A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 杜传正;郑文宁;邹义涛 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创流量计有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;H01L21/68;H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种工艺腔室控压设备标定方法、标定装置及半导体工艺设备,用于标定基准位置,标定方法包括:在所述控压设备断电后重新上电时,获取所述阀门在上电前的停机开度数据;根据所述停机开度数据,确定所述阀门的当前开度;计算所述阀门的开度由所述当前开度达到预设开度对应的所述驱动电机的运转参数的目标调节值;控制所述驱动电机的运转参数达到所述目标调节值,使得所述阀板移动至预设开度对应的基准位置。采用本发明的标定方法来标定基准位置时,无需设置光电开关,从根本上解决了因光电开关损坏而导致无法标定的问题,该标定方法的可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 工艺 腔室控压 设备 标定 方法 装置 半导体 工艺设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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