[发明专利]一种晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 202310645112.1 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116581146A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王延锋;吴恒;施雪捷;闫浩;黄达;李作;林冠贤 | 申请（专利权）人： | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人： | 纪晓萌;孟桂超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种晶体管的制作方法，包括：依次形成有源区和位于所述有源区上层的无源区，其中，所述有源区内形成有晶体管的源极和漏极；所述无源区内至少包括第一介质层，所述第一介质层中形成有栅极、源极连接柱以及漏极连接柱；其中，所述源极连接柱与所述源极电连接；所述漏极连接柱与所述漏极电连接；在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层；向所述刻蚀空间内灌入刻蚀液，以刻蚀所述第一介质层，形成空气间隙；其中，所述空气间隙分布在所述栅极和所述源极连接柱之间，和/或，所述空气间隙分布在所述栅极和所述漏极连接柱之间；填充所述刻蚀空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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