[发明专利]系统级芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202310685324.2 | 申请日： | 2023-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN116454088B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宁丹;向建军 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技股份有限公司;上海锐麟微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种系统级芯片及其制备方法，其中系统级芯片包含：嵌入式存储模块、及其外围的数字模块，嵌入式存储模块中包含至少一个嵌入式存储单元，数字模块中包含第一MOS晶体管和至少一个标准单元；其中所述的标准单元包含第二MOS晶体管，所述的嵌入式存储单元包含第三MOS晶体管，第一、第二、和第三MOS晶体管各自包含一个栅极及其下方的栅氧层，其中第二和第三MOS晶体管的栅氧层厚度相同，都比第一MOS晶体管的栅氧层薄。本发明系统级芯片中外围标准单元和存储单元中的中栅氧晶体管，具有更小的面积、更低的工作电压、更小的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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