[发明专利]MOSFET芯片的制造方法有效
| 申请号： | 202310717816.5 | 申请日： | 2023-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN116454025B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王海强;何昌;张光亚;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 李朦;叶垚平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了MOSFET芯片的制造方法，包括在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，在所述沟槽之中形成栅氧化层和多晶硅栅；所述第一沟槽位于MOSFET芯片的元胞区，所述第二沟槽位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域；采用离子注入、退火工艺，形成体区，所述体区包括第一体区和第二体区；所述第一体区位于MOSFET芯片的元胞区；所述第二体区位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，被第二沟槽分割成两个独立的第二体区；采用光刻、离子注入、退火工艺，形成源区；本发明具备提高芯片集成度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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