[发明专利]一种半导体器件制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202310753844.2 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116613106A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨婉君 | 申请（专利权）人： | 上海芯物科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 闫彦飞 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制备方法及半导体器件，该半导体器件制备方法包括：提供基底；刻蚀基底形成多个沟槽；制备第一氧化硅层，第一氧化硅层包括位于基底表面的第一氧化硅分部以及位于沟槽内的第二氧化硅分部；在第一氧化硅层远离基底的一侧制备牺牲结构；去除牺牲结构以及第一氧化硅分部，以暴露出第二氧化硅分部和基底；制备第二氧化硅层，第二氧化硅层包括位于基底表面的第三氧化硅分部以及位于沟槽内的第四氧化硅分部，第四氧化硅分部以及第二氧化硅分部填充沟槽。采用上述技术手段，通过制备牺牲结构能够在沟槽内分两步填充氧化硅，如此能够避免由于沟槽深宽比较大，在沟槽内形成孔洞或缝隙，进而提高半导体器件的性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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